drenador m
- drain
Resultats de la cerca per a «drenador»
Exemples d’ús (fonts externes)
| By applying positive voltage between the drain and the source and connecting the gate to the source, we will establish a current, which we will call the drain current with zero bias. | Aplicant tensió positiva entre el drenador i el sortidor i connectant la porta a l’assortidor, establirem un corrent, que anomenarem corrent de drenador amb polarització zero. |
| Font: AINA | |
| The configuration is complete with source / drain electrodes (76) and (77). | La configuració es completa amb elèctrodes font/drenador (76) i (77). |
| Font: AINA | |
| No wonder The Wall Street Journal normalized Bolsonaro as a “conservative populist” and the “Brazilian swamp-drainer”; this fact-free endorsement ignores that Bolsonaro is a lowly politico who has only passed two pieces of legislation in his 27 lackluster years in Congress. | No és d’estranyar que The Wall Street Journal normalitzés Bolsonaro com un “populista conservador” i com el “drenador de pantans brasiler”. Aquest suport sense fets ignora que Bolsonaro és un polític d’estar per casa que només ha aprovat dues lleis en els seus 27 mediocres anys al Congrés. |
| Font: MaCoCu | |
| The current applied between the source and drain electrodes is controlled by the voltage applied to the gate. | El corrent que circula entre drenador i sortidor és controlat per la tensió aplicada a la porta. |
| Font: NLLB | |
| In addition, one of the source / drain electrodes may be extended to form a pixel electrode, thereby simplifying the manufacturing process. | A més, un dels elèctrodes font/drenador es pot estendre per formar un elèctrode de píxel, cosa que simplifica el procés de fabricació. |
| Font: AINA | |
| A second transistor configured with a second gate pattern 216 and source/drain regions 218 may be formed on the semiconductor single crystalline layer 214. | Es pot formar un segon transistor configurat amb un segon patró de porta 216 i regions de font/drenador 218 a la capa monocristal·lina semiconductora 214. |
| Font: AINA | |
| Preferably the area of the first junction is substantially larger than that of the junction area of the source/drain diffusion, in the output transistor, which is connected to the power supply. | Preferiblement, l’àrea de la primera unió és substancialment més gran que la de l’àrea d’unió de la difusió de font/drenador, al transistor de sortida, que està connectat a la font d’alimentació. |
| Font: AINA | |
| The current that enters through the drain and leaves through the source is not interrupted, since it is due to the electric field between them, but it becomes independent of the potential difference between both terminals. | El corrent que entra pel drenador i surt per la font no s’interromp, ja que és degut al camp elèctric entre tots dos, però es fa independent de la diferència de potencial entre tots dos terminals. |
| Font: AINA | |
| [0021] Consequently, even when a transistor not selected is irradiated with a light, the light is prevented from being incident on the source-drain region, so that output of a false signal from the non-selected transistor can be avoided. | [0021] En conseqüència, fins i tot quan un transistor no seleccionat s’irradia amb una llum, s’evita que la llum incideixi a la regió de font-drenador, de manera que es pot evitar la sortida d’un senyal fals del transistor no seleccionat. |
| Font: AINA | |
| Mostra més exemples | |